你好!相比之下国内大陆的水电等基础设施水平强于台湾地区,而且下游国内客户需求持续旺盛,台积电决定再扩大南京厂产能,也在情理之中南京奥拓电子。
当下全球的缺芯潮,国内外各大厂家都在扩产,目前台积电计划3年内用于在全球工厂扩产预算是1000亿美元南京奥拓电子。就算台积电在南京无法投产28nm,也有的是其他地方工厂可以用于扩产。在我看来,台积电扩产的直接原因,是因为缺芯潮导致订单激增,现有产能已经跟不上订单需求,好事坏事不能一概而论,交给市场吧!一、对南京而言,加强以电子产品为核心的中高端制造业定位,自然是好事要知道,南京摸爬滚打这么多年,总算找到自己的定位,就是以电子产品为核心的中高端制造业,可以说是能够对标美国的德州。而且,南京和美国的德州,优势非常类似:
1、大量的郊区可开发土地,有连片的平原,比如江北新区和溧水南京奥拓电子。南京的农村人口密度其实很低,尤其是六合,看卫星地图就知道,按人口补偿的话,征地成本较低。2、较高的教育水平。城市居民拥有大专以上学历比例全国第一。南京除了传统的大学名校,还有数十所技术院校,每年能够量产中高级技术工人。此外,南京还有大量科研院所,为技术商业化提供了坚实的后盾。3、拥有二线城市中数一数二的交通。地铁里程曾仅次于北上,并且直通远郊区。高铁四通八达,市区不限号不限牌更不限外地车。
以上这三点优势,可以说是为发展高端制造业量身定制,即使拥有2的武汉,水网密布,地形过于支离破碎,重庆更是几乎找不到平地;拥有1的成都长沙,2和3又无法满足;同时拥有1和3的天津,2又成了短板南京奥拓电子。可以说,同时满足以上三点的城市,只有南京。
以前南京又想大力发展互联网,又想扶持文化艺术,结果都是不温不火,被隔壁杭州上海持续超越,后来终于搞明白了自己的优势所在和发展定位,这次台积电选择南京扩产,对南京产业自然是好事南京奥拓电子。二、破解疑问1:南京扩产的28nm是低端芯片吗?
我们要知道,目前28nm芯片工艺,是12英寸先进与成熟工艺的分界点,28nm以下比如16/14nm,7nm,5nm工艺被称为12英寸先进工艺,以上的如45/40nm、65nm、90nm等被称为12英寸成熟工艺南京奥拓电子。28nm工艺也是最后一代平面晶体管工艺,之后就开始导入FinFET结构的3D晶体管。从技术角度而言,确实在很长时间内,28nm工艺是一个分界点。
也就是说,28nm规格是成熟工艺中绝对代表,是一个使用范围非常广,且寿命非常长的工艺节点,能覆盖绝大多的芯片制造,比如电视机芯片,消费电子芯片,汽车芯片,平板电脑等,虽然不是最先进,但是无论如何都算不上“落后”工艺南京奥拓电子。
所以,数字电路追求单位面积内的晶体管密度,以追求更强的性能来打败对手,因此线宽越做越小,集成度越做越高,所以需要更小线宽的先进工艺南京奥拓电子。但除了最先进数字电路,其他芯片根本不需要这样的工艺,大量MEMS传感器,电源管理IC等根本不追求先进工艺,相反只需最成熟,最适合的工艺来生产就行了,除了最求性能优先的高性能计算数字芯片需要最先进7nm,5nm制程外,其他芯片根本不需要这么先进制程的。
三、破解疑问2:南京扩产28nm是不是低价倾销?要知道,除了性能,综合成本是芯片生产必须考虑的因素南京奥拓电子。从成本而言,28nm显然更具优势。据Gartner统计,16nm /14nm芯片的平均IC设计成本约为8000万美元,而28nm体硅制程器件约为3000万美元,设计7nm芯片则需要2.71亿美元。对于多数客户而言,高阶制程FinFET制程转换费用实在是太昂贵了。
从性能而言,相较于40nm及更早期制程,28nm工艺在频率调节、功耗控制、散热管理和尺寸压缩方面具有明显优势南京奥拓电子。另一方面,由于16nm/14nm及更先进制程采用FinFET技术,维持高参数良率以及低缺陷密度难度加大,每个逻辑闸的成本都要高于28nm制程,造成当时每个晶体管成本不降反升。28nm就综合而言,算是一代性价比非常高的制程,无论对于流片客户或是拿它赚钱的代工厂而言,它是一个“SWEET POINT”甜蜜点,毕竟拉5吨货,5吨的卡车就行了,谁会去用50吨的车呢?
问题来了,美国建先进的,国内建成熟的,相比90亿美元差价就是国内低成本低吗?这里我们千万别犯常识性错误南京奥拓电子。
国内相比美国确实有建厂低成本优势,但是差距绝对没有大到90亿美元的程度南京奥拓电子。一个晶圆工厂的建厂成本80%左右是采购设备,其余20%才是厂房建设,内部洁净室装修,以及配套设施等。台积电赴美建设的是5nm工厂。众所周知,5nm工艺所需设备单价以及数量远超28nm。
比如5nm需要导入ASML NXE系列EUV光刻机,这种设备单价在1.2-1.7亿美金一台,而28nm只需要NXT 1970i/1980i系列DUV光刻机就能满足生产,设备单价在6500-8500万美金,两者价格差接近一倍南京奥拓电子。其他如高阶制程需要用到的ALE设备(原子层刻蚀设备)单价超过700万美金,ALD(原子层沉积设备)单价也超过500万美金,都比普通的Etch(反应离子刻蚀机),和CVD( 化学气相沉积设备),贵20%-50%。最关键的是设备数量,比如 5nm所需的刻蚀机数量,是28nm的三倍左右。
因此这90亿美金的差价,绝大多数都是由设备单价以及数量的差异带来的,而不是国内水、电、土地,土建低成本带来来的,我们无需担忧的南京奥拓电子。
四、最后南京奥拓电子,南京新建产线好事坏事不能一概而论,目前来看却是利大于弊的我就举个例子,特斯拉全独资进中国,把中国的电动车都打趴下了吗?没有吧?蔚来,小鹏,比亚迪等等,不都是百花齐放吗?
我们肯定不能一边对外高举自由竞争的大旗,一边在国内大搞贸易保护吧?这不是活成了自己最厌恶的样子了,相反看看美国打压中兴华为,活生生的反例啊南京奥拓电子。
也就是说,台积电来陆投资,合法合规,我们为什么要打压?现在台湾地区缺电缺水,你想台积电单方面加大对美国投资,跟大陆脱钩,还是想它两边下注,继续加大对陆捆绑呢?再有国内芯片制造需要鲶鱼效应南京奥拓电子。真刀真枪的竞争才能大浪淘沙,温室的花朵是没法成功的。中芯难道只能靠政策,靠补贴的吗?
在芯片业,我们可能要转变以往或其他行业那种先引进再引导规划发展的路子,而要把引导和规划做在前面,做一些有利于产业长远发展的决定南京奥拓电子。我们已经看到了一些希望,比如北京和中芯在北京新建28nm 12寸厂,满产计划10万片每月,深圳市和中芯在深圳建28nm12寸厂,满产计划4万片每月,在上海中芯投资100亿美元在上海建设14nm12寸厂建设等等,今天的南京也是如此的。今天世界是百年未有之大变局,我国身在其中必定要有所作为,不能干大事惜身,见小利忘义,不忘初心,牢记使命,方得始终。
最后的话:保护下的国产芯片产业南京奥拓电子,就能强大起来么?
总结概括,台积电在南京扩产,确实对国内同行而言有一定压力,但是逻辑肯定不是低价倾销,想要击垮国内企业的,有竞争,并不完全是坏事,有影响但也没那么夸张的南京奥拓电子。
新冠爆发,世界口罩短缺,我们可以短时间建起惊人产能,满足中国,满足世界,因为我们有生产力,有完整产业链,可是世界缺芯,中国缺芯,我们没办法喊一声说:“不怕,有中国”,因为产业链中EDA、高端设备、先进原材料和先进制造技术都还需要竞争中去提升与进步的南京奥拓电子。
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